Study of carrier transport in strained and unstrained SOI tri-gate and omega-gate silicon nanowire MOSFETs

M. Koyama (1) , M. Casse (2) , R. Coquand (1) , S. Barraud (3) , C. Vizioz , C. Comboroure , P. Perreau , V. Maffini-Alvaro , C. Tabone (4) , L. Tosti , S. Barnola (4) , V. Delaye (5) , F. Aussenac (6) , G. Ghibaudo (1) , H. Iwai , G. Reimbold

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 DAPNIA - Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée
3 LGCIE - Laboratoire de Génie Civil et d'Ingénierie Environnementale
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
5 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
6 Bruker Biospin SA

Domains: Micro and nanotechnologies/Microelectronics

M. Koyama, M. Casse, R. Coquand, S. Barraud, C. Vizioz, et al.. Study of carrier transport in strained and unstrained SOI tri-gate and omega-gate silicon nanowire MOSFETs. Solid-State Electronics, 2013, 84, pp.46-52. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.024⟩. ⟨hal-01002176⟩