Communication Dans Un Congrès
Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering
Année : 2010
Bruno Capoen : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00912893
Soumis le : lundi 2 décembre 2013-18:11:46
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:20
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00912893 , version 1
Citer
Abdelhamid El Kaaouachi, N. Ait Ben Ameur, Bruno Capoen, A. Nafidi, J. Hemine, et al.. The scaling laws applied to the metal-insulator transition in n-type GaAs semiconductor. Physical Chemistry of Interfaces and Nanomaterials IX, Aug 2010, San Diego, United States. pp.775805. ⟨hal-00912893⟩
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