Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00877718
Soumis le : mardi 29 octobre 2013-10:27:10
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F Medjdoub, Y. Tagro, B. Grimbert, D. Ducatteau, N. Rolland, et al.. Highly stable low noise/high power AlN/GaN-on-silicon double heterostructure HEMTs operating at 40 GHz. IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2013, 2013, Monterey, CA, United States. paper 3C.3, 6 p., ⟨10.1109/IRPS.2013.6531985⟩. ⟨hal-00877718⟩
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