Article Dans Une Revue
Semiconductors
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00788194
Soumis le : jeudi 14 février 2013-09:06:12
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref. Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS. Semiconductors, 2012, 46, pp.382-385. ⟨10.1134/S1063782612030104⟩. ⟨hal-00788194⟩
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