Passivation of GaAs(001) surface by the growth of high quality c-GaN ultra-thin film using low power glow discharge nitrogen plasma source - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces Année : 2012

Passivation of GaAs(001) surface by the growth of high quality c-GaN ultra-thin film using low power glow discharge nitrogen plasma source

G. Monier
Luc Bideux
Christine Robert-Goumet
Bernard Gruzza
  • Fonction : Auteur
Matthieu Petit
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV
J.L. Labar
  • Fonction : Auteur
M. Menyhard
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00724331

Soumis le : lundi 20 août 2012-15:42:04

Dernière modification le : lundi 11 décembre 2023-13:23:37

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00724331 , version 1 (20-08-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00724331 , version 1

Citer

G. Monier, Luc Bideux, Christine Robert-Goumet, Bernard Gruzza, Matthieu Petit, et al.. Passivation of GaAs(001) surface by the growth of high quality c-GaN ultra-thin film using low power glow discharge nitrogen plasma source. Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 2012, 606 (13-14), pp.1093-1099. ⟨hal-00724331⟩

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