Design d'un Amplificateur Ultra-Large-Bande haut-Rendement à l'aide d'un Modèle Comportemental de Transistor en Boîtier

Wilfried Demenitroux (1) , Christophe Mazière , Emmanuel Gatard , Stéphane Dellier , Michel Campovecchio (1)

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Ce papier décrit une nouvelle méthodologie de conception damplificateur large bande et haut rendement à laide de modèle comportemental de transistors GaN en boitiers. Le modèle a été extrait à laide de mesures Load-Pull temporelles et les comparaisons entre simulations et mesures du transistor sont présentées. Un amplificateur en bande S à été réalisé à laide dun modèle Multi-Harmonique Volterra (MHV) dun transistor GaN 10W et présente en mesure une PAE moyenne de 65% et une puissance de sortie moyenne de 40.7 dBm sur 33% de bande autour de 2.15 GHz.

Wilfried Demenitroux, Christophe Mazière, Emmanuel Gatard, Stéphane Dellier, Michel Campovecchio. Design d'un Amplificateur Ultra-Large-Bande haut-Rendement à l'aide d'un Modèle Comportemental de Transistor en Boîtier. 17 èmes Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. Papier 8C-1 / pp18-19. ⟨hal-00702806⟩