Exploiting the semiconductor-metal phase transition of V02 materials : a novel direction towards tuneable devices and systmes for RF-microwave applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Chapitre D'ouvrage Année : 2010

Exploiting the semiconductor-metal phase transition of V02 materials : a novel direction towards tuneable devices and systmes for RF-microwave applications

Aurelian Crunteanu
MINACOM
Julien Givernaud
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915829
MINACOM
Pierre Blondy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915831
MINACOM
Jean-Christophe Orlianges
Axe 2 : procédés de traitements de surface
CV
Corinne Champeaux
Axe 2 : procédés de traitements de surface
CV
Alain Catherinot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915830
Axe 2 : procédés de traitements de surface

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https://hal.science/hal-00620195

Soumis le : mercredi 7 septembre 2011-14:23:41

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:14

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Dates et versions

hal-00620195 , version 1 (07-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00620195 , version 1

Citer

Aurelian Crunteanu, Julien Givernaud, Pierre Blondy, Jean-Christophe Orlianges, Corinne Champeaux, et al.. Exploiting the semiconductor-metal phase transition of V02 materials : a novel direction towards tuneable devices and systmes for RF-microwave applications. Moumita Mukherjee. Advanced Microwave and Millimeter Wave Technologies Semiconductor Devices Circuits and Systems, INTECH - ISBN 978-953-307-031-5, 22 p., 2010. ⟨hal-00620195⟩

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