Growth of aligned self-catalysed GaAs nanowires on Si(111) using a VLS mechanism - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Growth of aligned self-catalysed GaAs nanowires on Si(111) using a VLS mechanism

S.R. Plissard
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
X. Wallart
P. Caroff
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00574033

Soumis le : lundi 7 mars 2011-09:54:58

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00574033 , version 1 (07-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00574033 , version 1

Citer

S.R. Plissard, G. Larrieu, X. Wallart, P. Caroff. Growth of aligned self-catalysed GaAs nanowires on Si(111) using a VLS mechanism. 5th Nanowire Growth Workshop, NWG 2010, 2010, Rome, Italy. ⟨hal-00574033⟩

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