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Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Graphene growth by molecular beam epitaxy on SiC

E. Moreau
S. Godey
F.J. Ferrer
  • Fonction : Auteur
D. Vignaud
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
W. Wallart
  • Fonction : Auteur
J. Avila
  • Fonction : Auteur
M.C. Asensio
  • Fonction : Auteur
F. Bournel
  • Fonction : Auteur
J.J. Gallet
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00573662

Soumis le : vendredi 4 mars 2011-11:47:25

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00573662 , version 1 (04-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00573662 , version 1

Citer

E. Moreau, S. Godey, F.J. Ferrer, D. Vignaud, W. Wallart, et al.. Graphene growth by molecular beam epitaxy on SiC. Graphene International School, 2010, Cargèse, France. ⟨hal-00573662⟩

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