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Autre Publication Scientifique Année : 2009

Contribution au développement d'une filière de transistor de forte puissance à base de technologie HEMT GaN pour applications télécoms et radar

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https://hal.science/hal-00572815

Soumis le : jeudi 3 mars 2011-09:08:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00572815 , version 1 (03-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00572815 , version 1

Citer

Gwenaël Le Coustre. Contribution au développement d'une filière de transistor de forte puissance à base de technologie HEMT GaN pour applications télécoms et radar. 2009. ⟨hal-00572815⟩

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