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Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Report de couches actives de transistors bipolaires à hétérojonctions InP/GaAsSb/InP en vue de la dissipation thermique

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00572215 , version 1 (01-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00572215 , version 1

Citer

N.A. Thiam. Report de couches actives de transistors bipolaires à hétérojonctions InP/GaAsSb/InP en vue de la dissipation thermique. 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 1. ⟨hal-00572215⟩
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