Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2010
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00567883
Soumis le : mardi 22 février 2011-10:26:24
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
B.G. Vasallo, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, Yannick Roelens, A. Cappy, et al.. Monte Carlo study of the dynamic performance of a 100-nm-gate InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.2572-2578. ⟨10.1109/TED.2010.2058633⟩. ⟨hal-00567883⟩
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