12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET

S. Vandenbrouck , K. Madjour , D. Theron , Y.J. Dong , Y. Li , C.M. Lieber , Christophe Gaquière (1)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

S. Vandenbrouck, K. Madjour, D. Theron, Y.J. Dong, Y. Li, et al.. 12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET. IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.322-324. ⟨10.1109/LED.2009.2014791⟩. ⟨hal-00473429⟩