Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2009
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00471908
Soumis le : vendredi 9 avril 2010-10:36:21
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
E. Lefebvre, M. Malmkvist, M. Borg, L. Desplanque, X. Wallart, et al.. Gate-recess technology for InAs/AlSb HEMTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56, pp.1904-1911. ⟨10.1109/TED.2009.2026123⟩. ⟨hal-00471908⟩
Collections
27
Consultations
0
Téléchargements