Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2009
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00455406
Soumis le : mercredi 10 février 2010-13:17:50
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00455406 , version 1
Citer
F. Oehler, P. Gentile, T. Baron, M. den Hertog, J.L. Rouviere, et al.. The morphology of silicon nanowires grown in the presence of trimethylaluminium. Nanotechnology, 2009, pp.20 (24): Art. No. 245602 JUN 17 2009. ⟨hal-00455406⟩
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