Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2008
Nathalie Labat : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00400906
Soumis le : jeudi 2 juillet 2009-10:40:35
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00400906 , version 1
Citer
Moshine Bouya, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Dominique Carisetti, Philippe Perdu, et al.. Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques. Microelectronics Reliability, 2008, 48 (8-9), pp.1366-1369. ⟨hal-00400906⟩
Collections
73
Consultations
0
Téléchargements