Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2002
Daniel Gasquet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00327051
Soumis le : mardi 7 octobre 2008-11:17:32
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51
Citer
M. Valenza, J.C. Vildeuil, D. Rigaud. Conduction and low frequency channel noise of GaAs based pseudomorphic high electron mobility transistors. Journal of Applied Physics, 2002, 91 (5), pp.3318-3323. ⟨10.1063/1.1445494⟩. ⟨hal-00327051⟩
Collections
21
Consultations
0
Téléchargements