Growth parameters effect on the electric and thermoelectric characteristics of Bi2Se3 thin films using ditertiarybutylselenide as precursor by MOCVD system. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2002

Growth parameters effect on the electric and thermoelectric characteristics of Bi2Se3 thin films using ditertiarybutylselenide as precursor by MOCVD system.

Domaines

Electronique

Daniel Gasquet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00324041

Soumis le : mardi 23 septembre 2008-18:18:00

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

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Dates et versions

hal-00324041 , version 1 (23-09-2008)

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Citer

A. Al Bayaz, Alain Giani, M.C Artaud-Gillet, A. Foucaran, F. Pascal-Delannoy, et al.. Growth parameters effect on the electric and thermoelectric characteristics of Bi2Se3 thin films using ditertiarybutylselenide as precursor by MOCVD system.. Journal of Crystal Growth, 2002, 241 (4), pp.463-470. ⟨10.1016/S0022-0248(02)01312-X⟩. ⟨hal-00324041⟩

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