Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2007
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00285630
Soumis le : vendredi 6 juin 2008-08:45:17
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00285630 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.235
Citer
Dmitri Yarekha, S. Godey, X. Wallart, H. Colder, M. Zaknoune, et al.. MBE growth of heavily carbon doped GaAsSb on InP for heterojunction bipolar transistor applications. Journal of Crystal Growth, 2007, 301-302, pp.217-220. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2006.11.235⟩. ⟨hal-00285630⟩
Collections
68
Consultations
0
Téléchargements