High mobility metamorphic AlSb/InAs heterostructures grown on InP substrates

L. Desplanque; D. Vignaud; X. Wallart

doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.11.229

Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2007

High mobility metamorphic AlSb/InAs heterostructures grown on InP substrates

, (1) ,

1

L. Desplanque

Fonction : Auteur
PersonId : 746179
IdHAL : ludovicdesplanque
ORCID : 0000-0002-2197-4408
IdRef : 076098656

D. Vignaud

Fonction : Auteur
PersonId : 738856
IdHAL : dominique-vignaud
IdRef : 128829885

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

X. Wallart

Fonction : Auteur
PersonId : 741251
IdHAL : xavier-wallart
ORCID : 0000-0002-0915-0043
IdRef : 03424879X

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Soumis le : vendredi 6 juin 2008-08:45:09

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00285629 , version 1 (06-06-2008)

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HAL Id : hal-00285629 , version 1
DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2006.11.229

Citer

L. Desplanque, D. Vignaud, X. Wallart. High mobility metamorphic AlSb/InAs heterostructures grown on InP substrates. Journal of Crystal Growth, 2007, 301-302, pp.194-198. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2006.11.229⟩. ⟨hal-00285629⟩

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