Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 2007
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00283497
Soumis le : vendredi 30 mai 2008-10:58:03
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F Medjdoub, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, J.E. Carlin, M. Gonschorek, et al.. Evaluation of AllnN/GaN HEMTs on sapphire substrate in microwave, time and temperature domains. Electronics Letters, 2007, 43, pp.309-311. ⟨10.1049/el:20073170⟩. ⟨hal-00283497⟩
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