Communication Dans Un Congrès
Année : 2006
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https://hal.science/hal-00247419
Soumis le : vendredi 8 février 2008-07:53:10
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, et al.. Can InAlN/GaN be an alternative to high power/high temperature AlGaN/GaN devices ?. IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2006, 2006, United States. pp.673-676, ⟨10.1109/IEDM.2006.346935⟩. ⟨hal-00247419⟩
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