An electrothermal model for AlGaN/GaN power HEMTs including trapping effects to improve large-signal simulation results on high VSWR. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques Année : 2007

An electrothermal model for AlGaN/GaN power HEMTs including trapping effects to improve large-signal simulation results on high VSWR.

Olivier Jardel
  • Fonction : Auteur
Fabien de Groote
  • Fonction : Auteur
J.C. Jacquet
  • Fonction : Auteur
C. Charbonniaud
  • Fonction : Auteur
Jean-Pierre Teyssier
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 914307
Raymond Quéré
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00198570 , version 1 (17-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00198570 , version 1

Citer

Olivier Jardel, Fabien de Groote, J.C. Jacquet, C. Charbonniaud, Jean-Pierre Teyssier, et al.. An electrothermal model for AlGaN/GaN power HEMTs including trapping effects to improve large-signal simulation results on high VSWR.. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2007, Vol. 55 (No 12), pp 2660-2669. ⟨hal-00198570⟩

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