BJT avalanche breakdown voltage improvement by introduction of a floating P-layer in the epitaxial collector region - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1998

BJT avalanche breakdown voltage improvement by introduction of a floating P-layer in the epitaxial collector region

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00189380

Soumis le : mardi 20 novembre 2007-17:34:40

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00189380 , version 1 (20-11-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00189380 , version 1

Citer

Thomas Zimmer, M. N?doye, Noelle Lewis, Jean Batiste Duluc, Helene Fremont, et al.. BJT avalanche breakdown voltage improvement by introduction of a floating P-layer in the epitaxial collector region. Symposium on Microelectronic Facturing, Sep 1998, Santa Clara, United States. pp._. ⟨hal-00189380⟩

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