Communication Dans Un Congrès
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00183508
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:54
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183508 , version 1
Citer
Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Andre Touboul, Michael Uren. Analysis of low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate. 17th International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations, 2003, Czech Republic. pp.1. ⟨hal-00183508⟩
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