Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2000

Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs

Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
B. Boudart
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00159034

Soumis le : lundi 2 juillet 2007-11:02:39

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00159034 , version 1 (02-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00159034 , version 1

Citer

Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger. Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs. 10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany. ⟨hal-00159034⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
25 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More