3-Dimensional process simulation of thermal annealing of low dose implanted dopants in silicon

V. Senez; J. Herbaux; T. Hoffmann; E. Lampin

Article Dans Une Revue IEICE Transactions on Electronics Année : 2000

3-Dimensional process simulation of thermal annealing of low dose implanted dopants in silicon

(1) , , ,

1

V. Senez

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

J. Herbaux

Fonction : Auteur

T. Hoffmann

Fonction : Auteur

E. Lampin

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00158495

Soumis le : vendredi 29 juin 2007-09:11:46

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00158495 , version 1 (29-06-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00158495 , version 1

Citer

V. Senez, J. Herbaux, T. Hoffmann, E. Lampin. 3-Dimensional process simulation of thermal annealing of low dose implanted dopants in silicon. IEICE Transactions on Electronics, 2000, E83-C, pp.1267-1274. ⟨hal-00158495⟩

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