CBr4 and Be heavily doped InGaAs grown in a production MBE system - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2005

CBr4 and Be heavily doped InGaAs grown in a production MBE system

S. Godey
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
S. Dhellemmes
  • Fonction : Auteur
A. Wilk
  • Fonction : Auteur
M. Zaknoune
F. Mollot

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https://hal.science/hal-00154907

Soumis le : vendredi 15 juin 2007-08:12:52

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00154907 , version 1 (15-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00154907 , version 1

Citer

S. Godey, S. Dhellemmes, A. Wilk, M. Zaknoune, F. Mollot. CBr4 and Be heavily doped InGaAs grown in a production MBE system. Journal of Crystal Growth, 2005, 278, pp.600-603. ⟨hal-00154907⟩

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