Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2002
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00149699
Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:04:14
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00149699 , version 1
Citer
Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Yannick Guhel, B. Boudart, et al.. Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz. IEEE Electron Device Letters, 2002, 23, pp.246-249. ⟨hal-00149699⟩
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