Autre Publication Scientifique
Année : 2002
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00149687
Soumis le : lundi 28 mai 2007-10:54:42
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00149687 , version 1
Citer
Y. Guhel. Réalisation de transistors à effet de champ à base de GaN pour l'amplification de puissance en gamme d'ondes millimétriques et à haute température. 2002. ⟨hal-00149687⟩
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