Réalisation de transistors à effet de champ à base de GaN pour l'amplification de puissance en gamme d'ondes millimétriques et à haute température

Y. Guhel (1)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Y. Guhel. Réalisation de transistors à effet de champ à base de GaN pour l'amplification de puissance en gamme d'ondes millimétriques et à haute température. 2002. ⟨hal-00149687⟩