Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2002
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00147834
Soumis le : lundi 21 mai 2007-10:49:06
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00147834 , version 1
Citer
R. Rengel, J. Mateos, D. Pardo, T. Gonzales, M.J. Martin, et al.. Numerical and experimental study of a 0,25 µm fully-depleted silicon on insulator MOSFET : static and dynamic RF behaviour. Semiconductor Science and Technology, 2002, 17, pp.1149-1156. ⟨hal-00147834⟩
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