Behaviour of TFMS and CPW line on SOI substrate versus high temperature for RF applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2006

Behaviour of TFMS and CPW line on SOI substrate versus high temperature for RF applications

M. Si Moussa
  • Fonction : Auteur
C. Pavageau
  • Fonction : Auteur
D. Lederer
  • Fonction : Auteur
L. Picheta
  • Fonction : Auteur
N. Fel
  • Fonction : Auteur
J. Russat
  • Fonction : Auteur
J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur
D. Vanhoenacker-Janvier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147509 , version 1 (18-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147509 , version 1

Citer

M. Si Moussa, C. Pavageau, D. Lederer, L. Picheta, Francois Danneville, et al.. Behaviour of TFMS and CPW line on SOI substrate versus high temperature for RF applications. Solid-State Electronics, 2006, 50, pp.1822-1827. ⟨hal-00147509⟩
57 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More