Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium et saphir - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium et saphir

A. Curutchet
  • Fonction : Auteur
N. Malbert
  • Fonction : Auteur
N. Labat
  • Fonction : Auteur
A. Touboul
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Uren
  • Fonction : Auteur

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00146664

Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:11:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00146664 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00146664 , version 1

Citer

A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium et saphir. 2003, pp.1D-7. ⟨hal-00146664⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
17 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More