What are the limiting parameters of deep-submicron MOSFETs for high frequency applications ? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2003

What are the limiting parameters of deep-submicron MOSFETs for high frequency applications ?

Gilles Dambrine
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
C. Raynaud
D. Lederer
  • Fonction : Auteur
M. Dehan
  • Fonction : Auteur
O. Rozeaux
  • Fonction : Auteur
M. Vanmackelberg
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
Sylvie Lepilliet
J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00145984

Soumis le : lundi 14 mai 2007-09:19:53

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00145984 , version 1 (14-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145984 , version 1

Citer

Gilles Dambrine, C. Raynaud, D. Lederer, M. Dehan, O. Rozeaux, et al.. What are the limiting parameters of deep-submicron MOSFETs for high frequency applications ?. IEEE Electron Device Letters, 2003, 24, pp.189-191. ⟨hal-00145984⟩

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