As–P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

As–P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system

S. Dhellemmes
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
S. Godey
A. Wilk
  • Fonction : Auteur
X. Wallart
F. Mollot

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https://hal.science/hal-00142073

Soumis le : mardi 17 avril 2007-11:40:14

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00142073 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00142073 , version 1

Citer

S. Dhellemmes, S. Godey, A. Wilk, X. Wallart, F. Mollot. As–P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system. Proceedings of the 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XIII, 2004, Edinburgh, Scotland, United Kingdom. ⟨hal-00142073⟩

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