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Autre Publication Scientifique Année : 2004

Technologie des composants de type HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium pour des applications de puissance et faible bruit

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141956 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141956 , version 1

Citer

A. Minko. Technologie des composants de type HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium pour des applications de puissance et faible bruit. 2004. ⟨hal-00141956⟩
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