Modélisation hydrodynamique bidimensionnelle de transistors à effet de champ. Analyse physique des limitations et des performances hyperfréquences des filières pHEMT sur GaAs et HEMT sur GaN pour l'amplification de puissance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Autre Publication Scientifique Année : 2004

Modélisation hydrodynamique bidimensionnelle de transistors à effet de champ. Analyse physique des limitations et des performances hyperfréquences des filières pHEMT sur GaAs et HEMT sur GaN pour l'amplification de puissance

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https://hal.science/hal-00141955

Soumis le : mardi 17 avril 2007-08:33:52

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141955 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141955 , version 1

Citer

M. Elkhou. Modélisation hydrodynamique bidimensionnelle de transistors à effet de champ. Analyse physique des limitations et des performances hyperfréquences des filières pHEMT sur GaAs et HEMT sur GaN pour l'amplification de puissance. 2004. ⟨hal-00141955⟩

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