High temperature processing of poly-SiC substrates from the vapor phase for wafer-bonding

G. Chichignoud (1, 2) , M. Pons (1) , E. Blanquet (1) , D. Chaussende (2) , M. Anikin (2) , Etienne Pernot (2) , Michel Mermoux (3) , R. Madar (2) , C. Moisson , F. Letertre

1 LTPCM - Laboratoire de thermodynamique et physico-chimie métallurgiques
2 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique
3 LEPMI - Laboratoire d'Electrochimie et de Physico-chimie des Matériaux et des Interfaces

Domaines: Matériaux; Génie des procédés

G. Chichignoud, M. Pons, E. Blanquet, D. Chaussende, M. Anikin, et al.. High temperature processing of poly-SiC substrates from the vapor phase for wafer-bonding. Surface and Coatings Technology, 2006, 201 (7), pp.4014-4020. ⟨hal-00141052⟩