Combined annealing temperature and thickness effects on properties of PbZr0.53Ti0.47O3 films on LaNiO3/Si substrate by sol-gel process - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2006

Combined annealing temperature and thickness effects on properties of PbZr0.53Ti0.47O3 films on LaNiO3/Si substrate by sol-gel process

Gang Wang
  • Fonction : Auteur
Denis Remiens
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Caroline Soyer

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https://hal.science/hal-00138712

Soumis le : mardi 27 mars 2007-11:07:13

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138712 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138712 , version 1

Citer

Gang Wang, Denis Remiens, Caroline Soyer. Combined annealing temperature and thickness effects on properties of PbZr0.53Ti0.47O3 films on LaNiO3/Si substrate by sol-gel process. Journal of Crystal Growth, 2006, 293, pp.370-375. ⟨hal-00138712⟩

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