Fabrication and analysis of CMOS fully-compatible high conductance impact-ionization MOS (I-MOS) transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Fabrication and analysis of CMOS fully-compatible high conductance impact-ionization MOS (I-MOS) transistors

C. Charbuillet
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Emmanuel Dubois
CV
S. Monfray
  • Fonction : Auteur
P. Bouillon
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00138680

Soumis le : mardi 27 mars 2007-10:40:30

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00138680 , version 1 (27-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00138680 , version 1

Citer

C. Charbuillet, Emmanuel Dubois, S. Monfray, P. Bouillon, T. Skotnicki. Fabrication and analysis of CMOS fully-compatible high conductance impact-ionization MOS (I-MOS) transistors. 2006, pp.299-302. ⟨hal-00138680⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
15 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More