Simulation, caractérisation et optimisation de transistor LDMOS sur SOI en technologie BCD – Bipolaire-CMOS-DMOS

Autre Publication Scientifique Année : 2005

(1)

1

H. Xu

https://hal.science/hal-00138413

Soumis le : lundi 26 mars 2007-11:18:50

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

hal-00138413 , version 1 (26-03-2007)

H. Xu. Simulation, caractérisation et optimisation de transistor LDMOS sur SOI en technologie BCD – Bipolaire-CMOS-DMOS. 2005. ⟨hal-00138413⟩

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE

24 Consultations

0 Téléchargements