Thickness dependent morphology and resistivity of ultra-thin Al films growth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2006

Thickness dependent morphology and resistivity of ultra-thin Al films growth on Si(111) by molecular beam epitaxy

D.K. Aswal
  • Fonction : Auteur
N. Joshi
  • Fonction : Auteur
A.K. Debnath
  • Fonction : Auteur
D.S. Gupta
  • Fonction : Auteur
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
J.V. Yakhmi
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https://hal.science/hal-00127112

Soumis le : lundi 29 janvier 2007-10:52:34

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00127112 , version 1 (29-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00127112 , version 1

Citer

D.K. Aswal, N. Joshi, A.K. Debnath, D.S. Gupta, D. Vuillaume, et al.. Thickness dependent morphology and resistivity of ultra-thin Al films growth on Si(111) by molecular beam epitaxy. physica status solidi (a), 2006, 203, pp.1254-1258. ⟨hal-00127112⟩

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