Article Dans Une Revue
Journal of Physical Chemistry B
Année : 2006
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https://hal.science/hal-00127110
Soumis le : lundi 29 janvier 2007-10:52:31
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00127110 , version 1
Citer
S. Lenfant, David Guérin, F. Tran Van, C. Chevrot, Serge Palacin, et al.. Electron transport through rectifying self-assembled monolayer diodes on silicon : Fermi level pinning at the molecule-metal interface. Journal of Physical Chemistry B, 2006, 110, pp.13947-13958. ⟨hal-00127110⟩
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