Electron transport through rectifying self-assembled monolayer diodes on silicon : Fermi level pinning at the molecule-metal interface - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physical Chemistry B Année : 2006

Electron transport through rectifying self-assembled monolayer diodes on silicon : Fermi level pinning at the molecule-metal interface

S. Lenfant
CV
David Guérin
F. Tran Van
  • Fonction : Auteur
C. Chevrot
  • Fonction : Auteur
Serge Palacin
J.P. Bourgoin
  • Fonction : Auteur
O. Bouloussa
  • Fonction : Auteur
F. Rondelez
  • Fonction : Auteur
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00127110

Soumis le : lundi 29 janvier 2007-10:52:31

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00127110 , version 1 (29-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00127110 , version 1

Citer

S. Lenfant, David Guérin, F. Tran Van, C. Chevrot, Serge Palacin, et al.. Electron transport through rectifying self-assembled monolayer diodes on silicon : Fermi level pinning at the molecule-metal interface. Journal of Physical Chemistry B, 2006, 110, pp.13947-13958. ⟨hal-00127110⟩

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