Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hours on-state and off-state hot-electron stress - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hours on-state and off-state hot-electron stress

A. Sozza
  • Fonction : Auteur
C. Dua
  • Fonction : Auteur
E. Morvan
  • Fonction : Auteur
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
S. Delage
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F. Rampazzo
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A. Tazzoli
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F. Danesin
  • Fonction : Auteur
G. Meneghesso
  • Fonction : Auteur
E. Zanoni
  • Fonction : Auteur
A. Curutchet
  • Fonction : Auteur
N. Malbert
  • Fonction : Auteur
N. Labat
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Jean-Claude de Jaeger

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https://hal.science/hal-00126762

Soumis le : vendredi 26 janvier 2007-09:53:00

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00126762 , version 1 (26-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00126762 , version 1

Citer

A. Sozza, C. Dua, E. Morvan, M.A. Poisson, S. Delage, et al.. Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hours on-state and off-state hot-electron stress. 2005, 4 pp. ⟨hal-00126762⟩

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