High In content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2005

High In content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001)

X. Wallart
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
B. Pinsard
  • Fonction : Auteur
F. Mollot

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https://hal.science/hal-00125354

Soumis le : vendredi 19 janvier 2007-10:51:01

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00125354 , version 1 (19-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00125354 , version 1

Citer

X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. High In content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001). Journal of Crystal Growth, 2005, 278, pp.516-520. ⟨hal-00125354⟩

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