Voltage tunable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2005

Voltage tunable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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hal-00125162 , version 1 (25-05-2022)

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  • HAL Id : hal-00125162 , version 1

Citer

J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, L. Varani, J. Mateos, et al.. Voltage tunable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor. Journal of Applied Physics, 2005, 97, pp.64307-1-7. ⟨hal-00125162⟩

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