Magnetic field effect on the terahertz emission from nanometer InGaAs/AlInAs high electron mobility transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2005

Magnetic field effect on the terahertz emission from nanometer InGaAs/AlInAs high electron mobility transistors

N. Dyakonova
  • Fonction : Auteur
J. Lusakowski
  • Fonction : Auteur
W. Knap
  • Fonction : Auteur
M. Levinshtein
  • Fonction : Auteur
M. S. Shur
  • Fonction : Auteur
S. Bollaert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
A. Cappy

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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  • HAL Id : hal-00125161 , version 1

Citer

N. Dyakonova, J. Lusakowski, W. Knap, M. Levinshtein, M. S. Shur, et al.. Magnetic field effect on the terahertz emission from nanometer InGaAs/AlInAs high electron mobility transistors. Journal of Applied Physics, 2005, 97, pp.114313-1-5. ⟨hal-00125161⟩

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