Field effect on electron-hole recombination in Si/Si1-Xgex/Si quantum wells having a W-like type II potential profile - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: C Année : 2006

Field effect on electron-hole recombination in Si/Si1-Xgex/Si quantum wells having a W-like type II potential profile

N. Sfina
  • Fonction : Auteur
J.L. Lazzari
Centre de recherche de la matière condensée et des nanosciences
CV
M. Said
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00068519

Soumis le : vendredi 12 mai 2006-11:34:35

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:47

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00068519 , version 1 (12-05-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00068519 , version 1

Citer

N. Sfina, J.L. Lazzari, M. Said. Field effect on electron-hole recombination in Si/Si1-Xgex/Si quantum wells having a W-like type II potential profile. Materials Science and Engineering: C, 2006, 26, n° 2-3, pp.214-217. ⟨hal-00068519⟩

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